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小米10亮相即成為新晉“帶貨王”，帶火GaN（氮化鎵）充電器、WiFi6等配置的同時(shí)也將推動(dòng)行業(yè)的硬件升級,GaN作為一種新半導體材料，給充電器帶來(lái)了無(wú)法想象的效果。

GaN器件可以實(shí)現比硅器件快100倍的開(kāi)關(guān)速度。硅半導體器件向前推進(jìn)可以實(shí)現200K開(kāi)關(guān)頻率，而以納微GaN產(chǎn)品為例，單管已經(jīng)可以實(shí)現20M的開(kāi)關(guān)頻率。被小米10 Pro充電器采用的納微半導體65W氮化GaN方案，開(kāi)關(guān)頻率僅設計在500K左右，是傳統硅器件的6-7倍的速度，但其優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)非常顯著(zhù)了。

GaN從IR做第一個(gè)功率器件到現在已歷時(shí)15年以上，而2018年后GaN器件才真正進(jìn)入一個(gè)大批量量產(chǎn)的過(guò)程。目前GaN功率器件玩家主要有兩類(lèi)，一類(lèi)是基于IR“基因”的初創(chuàng )公司，另一類(lèi)是功率半導體巨頭們，不過(guò)每一家在技術(shù)路線(xiàn)上都有明顯的差異，且每一家都在走嘗試性路線(xiàn)。相比硅半導體方面，GaN方案在體積、效率等方面優(yōu)勢明顯。在價(jià)格方面，由于GaN器件的量還沒(méi)有起來(lái)，所以?xún)r(jià)格是傳統硅器件的2倍以上，但是可以預見(jiàn)在未來(lái)的2-3年，GaN器件價(jià)格將以每年20%-30%下降，因此會(huì )迅速逼近硅器件的成本，這也是GaN迎來(lái)爆發(fā)式增長(cháng)的關(guān)鍵節點(diǎn)。

在消費領(lǐng)域納微GaN產(chǎn)品優(yōu)勢已得以體現，去年累計出貨量實(shí)現150萬(wàn)顆。隨著(zhù)GaN器件在手機以及筆記本電腦領(lǐng)域滲透率進(jìn)一步提升，我們認為GaN器件今年在消費市場(chǎng)總體出貨量會(huì )在1500-2000萬(wàn)顆。

服務(wù)器電源、數據中心電源、5G基站電源這三大領(lǐng)域的共同特點(diǎn)是，需要省電、效率需提升、功率等級不是很大，而這恰符合GaN工作的范疇。